하이닉스, 0.10㎛급 512메가 DDR 개발

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하이닉스, 0.10㎛급 512메가 DDR 개발골든칩 기술 채용…연말부터 양산 개시

i가스저널 | webmaster@igasnet.com

승인 2002.11.15

하이닉스반도체는 0.10㎛(미크론)의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 512메가 더블데이터레이트(DDR) SD램 개발에 성공했다고 최근 밝혔다.

이번에 개발한 0.10미크론급 제품은 기존의 블루칩(0.15미크론) 기술과 프라임칩(0.13미크론) 기술을 능가하는 골든칩(Golden Chip) 기술에 해당하는 것으로 기존 프라임칩 공정기술에서 사용했던 장비를 활용, 추가투자 없이 양산이 가능하다.

또한 투자비용을 약 50%가량 절감할 수 있으며 프라임칩 기술대비 웨이퍼당 칩(Chip) 개수도 40% 이상 늘릴 수 있는 장점을 지닌다.

이에따라 하이닉스는 512메가 DDR SD램을 연말부터 본격 생산한뒤 내년 상반기에는 이 기술을 적용한 256메가 DDR SD램과 1기가 DDR SD램을 차례로 양산한다는 방침이다.

512메가 DDR SD램은 PC 및 서버의 메인 메모리용 제품으로 시장 수요에 적절히 대응할 수 있도록 DDR 266은 물론 DDR 333 및 DDR 400도 완벽하게 지원한다.

한편 하이닉스는 이번 골든칩 개발에 성공함으로서 향후 메모리반도체 시장에서 우수한 기술 및 원가경쟁력을 바탕으로 다양한 라인업을 갖출수 있을 전망이다.

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