삼성전자는 최근 회로선폭 70나노의 초미세 공정에서 전자의 이동을 완벽히 차단, 최적의 반도체 성능을 구현하는 ‘고유전막 공정’을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다.
이 기술은 원자층 증착기술(ALD)을 적용해 반도체 회로사이에 하프늄옥사이드(HfO2)-알루미늄옥사이드(AL2O3)의 신소재로 새로운 층상구조의 유전막을 형성하는 공정기술로서 기존 유전막 공정기술에 비해 정전용량 향상과 공정수 감축이 가능한 획기적인 공정기술로 평가된다.
또한 500℃ 이하에서 진행되는 저온화 공정이기때문에 저온화 공정이 필수적인 SOC제품에 특히 적합하며 기존 양산라인의 유전막 장비를 그대로 적용할 수 있어 시설투자를 절감할 수 있다는 점도 특징이다.
삼성전자측은 “반도체 칩의 크기를 줄이는 미세공정기술이 발전, 기존 소재의 반도체 유전막으로는 반도체 기능구현에는 한계가 있었다”며 “이번 신소재 고유전막 공정은 그 한계 극복의 해법을 제시했다는데 큰 의미가 있다”고 강조했다.
삼성은 나노급 반도체의 상용화가 오는 2004년부터 본격화될 것으로 전망, 90나노급 공정에는 올해 하반기부터 그리고 70나노급 공정에는 2004년부터 이번 신공정 기술을 적용한다는 방침이다.
한편 삼성전자는 이번 공정기술을 미국, 일본, 대만 등에서 특허출원을 마쳤으며 이달말 하와이에서 열리는 국제 반도체 학술회의인 ‘VLSI Technology 심포지엄’에 참석해 논문 2편을 발표할 예정이다.
