삼성전자는 지난4일 동작속도가 25나노초(ns)에 불과한 ‘초고속-저전력 S램’의 개발에 성공했다고 밝혔다.
삼성전자의 16M 저전력 S램은 동장속도가 대폭 향상되어 70ns 수준이던 기존 제품과 비교할때 게임.VOD.애니메이션.뉴스 등 동영상 처리에 있어 휴대폰 성능을 약 30% 높일수 있다. 또한 휴대폰 시스템에 따른 동작 호환성을 확보함은 물론 16Mb의 대용량으로 2.5세대 및 3세대 휴대폰에 주로 사용될 것으로 전망된다.
특히 삼성은 이번 제품과 함께 현재 양산중에 있는 ‘플래시메모리+Ut램+SD램’ 복합칩(MCP) 등으로 차세대 휴대기기에 적합한 최적의 솔루션을 제공하기 위해 마케팅도 강화한다는 방침이다.
한편 시장조사기관에 따르면 S램 반도체의 최대시장인 휴대폰은 올해 4억 5천만대에서 2004년 6억 2천만대로 시장이 급성장할 것으로 전망되고 있으며 삼성전자는 상반기중으로 16M 저전력 S램 양산을 시작해 50%의 시장 점유를 목표로 하고 있다.
