<반도체동향>日NEC, D램부문 1백억엔 설비투자

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<반도체동향>日NEC, D램부문 1백억엔 설비투자히로시마공장 0.13미크론공정 비중 50%로 증대

i가스저널 | webmaster@igasnet.com

승인 2002.05.01

일본 반도체 생산업체인 NEC가 고성능 D램 생산확대를 위해 올해 1백억엔의 설비투자를 계획하고 있는 것으로 밝혀졌다.

NEC는 이번 설비투자를 통해 0.18미크론 공정이 전체의 50％를 차지하고 있는 히로시마 공장의 생산설비를 0.13미크론 공정의 비중이 50％ 수준으로 증가시킨다는 계획이다.

또한 최근 서버용 수요가 급증하고 있는 512메가비트 제품의 생산을 확대하기 위해 0.18미크론 생산라인에서 게임기전용의 메모리생산을 확대, 올해를 매출회복의 전기로 마련한다는 방침이다.

한편 NEC의 D램 생산거점인 히로시마 공장은 히타치제작소와의 합작투자 법인인 엘피다메모리에 제품을 전량 공급하고 있으며 월생산능력이 200㎜웨이퍼 기준 3만개 수준으로 최근 수요증가에 따라 전라인을 가동중에 있는 것으로 알려졌다.

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